光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。

按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。

光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，最后生成聚合物；

光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物材料作为感光剂，其经光照后发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；

光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶；

化学放大型光刻胶采用光致产酸剂作为光引发剂，经紫外光照产生质子酸，引发单体的聚合交联，最后生成聚合物。

可用于光刻胶的光引发剂有GC-6223、TPS、LCV、NPG、9-PA。

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