图形反转胶是比较常见的一种紫外光刻胶，它既可以当正胶使用又可以作为负胶使用，在正常工艺下为正胶，但是通过后烘和泛曝光后会呈现负胶特性。

  光刻胶主要由三部分组成：光敏成分、树脂、溶剂。图形反转胶的刻蚀原理如下：当掩模曝光时，掩模曝光区域的光敏成分转变为羧酸，亲水，可溶于碱性显影液中；反转烘导致树脂部分在相对较高的温度下发生交联反应，而以上产生的酸对交联反应有促进作用，在曝光的区域发生的交联反应比未曝光的区域中多得多，结果在泛曝光后掩模曝光区域比未掩模曝光区域溶解性低，从而未掩模曝光区域被显掉而曝光的区域留下来实现了图像反转。

  泛曝光，是在不使用掩膜的情况下的曝光过程，会对未暴露的光刻胶区域进行曝光，从而可以在后续的显影过程被溶解显影。为了使光刻胶轮廓延伸到衬底，（衬底附近）光刻胶区域也应获得足够的曝光剂量。泛曝光的剂量过大并不会影响后续的工艺过程，因为第一次曝光区域的光刻胶在反转烘烤过程中已经不再感光。

  在反转工艺下，通过适当的工艺参数，可以获得底切的侧壁形态。这种方法的主要应用领域是剥离过程，在剥离过程中，底切的形态可以防止沉积的材料在光刻胶边缘和侧壁上形成连续薄膜，有助于获得干净的剥离光刻胶结构。
在图像反转烘烤步骤中，光刻胶的热稳定性和化学稳定性可以得到部分改善。因此，光刻胶在后续的工艺中如湿法、干法蚀刻以及电镀中都体现出一定的优势。然而，这些优点通常被比较麻烦的图像反转处理工艺的缺点所掩盖。如额外增加的处理步骤和很难或几乎不可能获得垂直的光刻胶侧壁结构。因此，图形反转胶更多的是被应用于剥离应用中。

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